器件3D模型

￥ 0.481

IR21271STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IR21271STRPBF 数据手册 (16 页)

封装尺寸在15 页

典型应用电路图在1 页

原理图在4 页

IR21271STRPBF 数据手册 (16 页)

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IR21271STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

80ns, 40ns

输出接口数

1 Output

输出电流

500 mA

功耗

625 mW

静态电流

60 µA

上升时间

80 ns

下降时间

40 ns

下降时间(Max)

65 ns

上升时间(Max)

130 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

电源电压

9V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

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IR21271STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IR21271STRPBF 符合标准

IR21271STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 0.18 MByte

IR21271STRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IR21271STRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IR21271STRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

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INFINEON IR21271SPBF 芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

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