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IR2153STRPBF
器件3D模型
0.546
IR2153STRPBF 数据手册 (9 页)
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IR2153STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
80ns, 45ns
输出接口数
2 Output
通道数
2 Channel
功耗
625 mW
静态电流
500 µA
上升时间
80 ns
下降时间
45 ns
下降时间(Max)
100 ns
上升时间(Max)
150 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 15.6V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2153STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.98 mm
宽度
3.99 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

IR2153STRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.06 MByte

IR2153 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2153PBF  芯片, MOSFET/IGBT驱动器 半桥
Infineon(英飞凌)
IC,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21531STRPBF  芯片, 驱动器, 半桥, 自振荡, 8SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2153SPBF  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 250mA输出, 660ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2153DPBF  双功率芯片, 半桥, 10V-20V电源, 660ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21531SPBF  双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21531DPBF  驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
PWM(脉冲宽度调制)- FF(固定频率)IC,Infineon### 交流-直流功率转换,Infineon
International Rectifier(国际整流器)
IR2153STRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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