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IRF634SPBF
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IRF634SPBF 数据手册 (9 页)
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IRF634SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
8.10 A
封装
TO-252-3
极性
N-Channel
功耗
74.0 W
漏源极电压(Vds)
250 V
漏源击穿电压
250 V
连续漏极电流(Ids)
8.10 A
上升时间
21.0 ns

IRF634SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

IRF634SPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 1.47 MByte

IRF634 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道250V - 0.38ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Intersil(英特矽尔)
Microsemi(美高森美)
Vishay Intertechnology
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