IRF640

￥ 2.98

IRF640 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF640 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF640 数据手册 (9 页)

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IRF640 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

18.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

输入电容

1.30 nF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200V (min)

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

上升时间

51.0 ns

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IRF640 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.49 mm

查看数据手册 >

IRF640 符合标准

IRF640 数据手册

IRF640 数据手册

Vishay Siliconix

9 页 / 0.19 MByte

IRF640 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

6 页 / 0.17 MByte

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