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IRF640NSTRLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF640NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRF640NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

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IRF640NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

150 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

4 V

输入电容

1160 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

18A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

1160pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

5.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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IRF640NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF640NSTRLPBF 符合标准

IRF640NSTRLPBF 概述

IRF640NSTRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.32 MByte

IRF640NSTRLPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF640NSTRLPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF640NSTRLPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF640NSTRLPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF640NSTRLPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.14 MByte

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