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IRF644NPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

TO-220

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF644NPBF 数据手册 (8 页)

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IRF644NPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

250 V

连续漏极电流(Ids)

14A

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

1060pF @25V(Vds)

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150000 mW

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IRF644NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

材质

Silicon

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IRF644NPBF 符合标准

IRF644NPBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.14 MByte

IRF644NPBF 其他数据使用手册

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