￥ 0.313

IRF6645TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF6645TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF6645TRPBF 数据手册 (9 页)

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IRF6645TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

Direct-FET

额定功率

42 W

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

N-CH

功耗

2.2 W

阈值电压

4.9 V

输入电容

890 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

890pF @25V(Vds)

下降时间

5.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

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IRF6645TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3.95 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6645TRPBF 符合标准

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Infineon（英飞凌）

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IRF6645TRPBF 产品设计参考手册

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IRF6645TRPBF 其他数据使用手册

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44 页 / 3.69 MByte

IRF6645TRPBF 产品设计图

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IRF6645TRPBF 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

IRF6645TRPBF 产品修订记录

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