￥ 0.425

IRF6712STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 25 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.9 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF6712STRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF6712STRPBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF6712STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

Direct-FET

额定功率

36 W

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.0038 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.2 W

阈值电压

1.9 V

输入电容

1570 pF

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

17A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

1570pF @13V(Vds)

额定功率(Max)

2.2 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.2W (Ta), 36W (Tc)

查看数据手册 >

IRF6712STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

4.85 mm

宽度

3.95 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF6712STRPBF 符合标准

IRF6712STRPBF 海关信息

IRF6712STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.23 MByte

IRF6712STRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF6712STRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

44 页 / 3.69 MByte

IRF6712STRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF6712STRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF6712STRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IRF6712 数据手册

IRF6712STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 25 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.9 V

IRF6712STR1PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF6712STRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF6712STR1PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF6712STR1PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 25 V, 0.0038 ohm, 20 V, 1.9 V

IRF6712S 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF 6712STR1PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号