Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRF830STRLPBF Datasheet 文档
IRF830STRLPBF
1.17
IRF830STRLPBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF830STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
1.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.1 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
610pF @25V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3100 mW

IRF830STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
最小包装数量
2000

IRF830STRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
10 页 / 0.23 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.19 MByte

IRF830 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 4.5 A , 450V / 500V N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
Harris
N沟道 500V 4.5A
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
4.5A , 500V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF830 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z