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IRF9630STRLPBF
2.188
IRF9630STRLPBF 数据手册 (9 页)
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IRF9630STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.8 Ω
极性
P-Channel
功耗
3 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
6.50 A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

IRF9630STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Design
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRF9630STRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.16 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.31 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.06 MByte

IRF9630 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
6.5A , 200V , 0.800欧姆,P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(ON) = 0.80ohm ,ID = -6.5A ) Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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