￥ 0.126

IRF9Z24NPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRF9Z24NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF9Z24NPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF9Z24NPBF 数据手册 (9 页)

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IRF9Z24NPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

45 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.175 Ω

极性

P-Channel

功耗

45 W

阈值电压

4 V

输入电容

350 pF

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

45 W

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

45W (Tc)

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IRF9Z24NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

8.77 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF9Z24NPBF 符合标准

IRF9Z24NPBF 海关信息

IRF9Z24NPBF 概述