输入电容值(Ciss)
620pF @25V(Vds)
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.25 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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