￥ 0.134

IRFB812PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRFB812PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 500 V, 1.75 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB812PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

IRFB812PBF 数据手册 (8 页)

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IRFB812PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.75 Ω

极性

N-Channel

功耗

78 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

3.6A

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

810pF @25V(Vds)

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

78W (Tc)

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IRFB812PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFB812PBF 符合标准

IRFB812PBF 概述

IRFB812PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.24 MByte

IRFB812PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB812PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IRFB812PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFB812PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB812PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.08 MByte

IRFB812 数据手册

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