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IRFBC30LPBF
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IRFBC30LPBF 数据手册 (8 页)
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IRFBC30LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-262
极性
N-Channel
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
3.60 A
输入电容值(Ciss)
660pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W

IRFBC30LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFBC30LPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.97 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.29 MByte

IRFBC30 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 600V - 1.8欧姆 - 3.6A - TO- 220的PowerMESH ] II MOSFET N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBC30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,600V,3.6A,2.2Ω@10V
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