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IRFBC30S
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IRFBC30S 数据手册 (8 页)
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IRFBC30S 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
3.6A

IRFBC30S 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.93 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.29 MByte

IRFBC30 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 600V - 1.8欧姆 - 3.6A - TO- 220的PowerMESH ] II MOSFET N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBC30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,600V,3.6A,2.2Ω@10V
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