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IRFHM8326TRPBF
0.128
IRFHM8326TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRFHM8326TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerTDFN-8
额定功率
2.8 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0038 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.8 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
19A
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
2496pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2.8 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 37W (Tc)

IRFHM8326TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
3.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFHM8326TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.58 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.1 MByte

IRFHM8326 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFHM8326TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.7 V 新
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