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IRFR3505PBF
￥ 0.276

IRFR3505PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IRFR3505PBF 数据手册 (11 页)
封装尺寸在9 页10 页
IRFR3505PBF 数据手册 (11 页)
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IRFR3505PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
140 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.013 Ω
极性
N-Channel
功耗
140 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
71A
上升时间
74 ns
输入电容值(Ciss)
2030pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
140 W
下降时间
54 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140W (Tc)
查看数据手册 >

IRFR3505PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
2.39 mm
高度
6.22 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRFR3505PBF 数据手册

IRFR3505PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.32 MByte
IRFR3505PBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRFR3505PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IRFR3505PBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRFR3505PBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IRFR3505PBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.25 MByte

IRFR3505 数据手册

IRFR3505 数据手册
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon
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N沟道 55V 30A
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