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IRFR9024TR
0.111
IRFR9024TR 数据手册 (8 页)
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IRFR9024TR 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
DPAK-252
功耗
2.5 W
上升时间
68 ns
输入电容值(Ciss)
570pF @25V(Vds)
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

IRFR9024TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRFR9024TR 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.94 MByte

IRFR9024 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Vishay Intertechnology
Samsung(三星)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.28ohm ,ID = -8.8A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
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