Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRFZ10PBF Datasheet 文档
IRFZ10PBF
0.265

IRFZ10PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
200 mΩ
极性
N-Channel
功耗
43 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
工作温度(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
43W (Tc)

IRFZ10PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
最小包装数量
50

IRFZ10PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 1.04 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 1.13 MByte

IRFZ10 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFZ10PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 10A
Vishay Siliconix
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFZ10 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z