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IRGP50B60PD1-EP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-3-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRGP50B60PD1-EP 数据手册 (11 页)

封装尺寸在10 页

IRGP50B60PD1-EP 数据手册 (11 页)

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IRGP50B60PD1-EP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

额定功率

390 W

功耗

390000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

42 ns

额定功率(Max)

390 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

390000 mW

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IRGP50B60PD1-EP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRGP50B60PD1-EP 符合标准

IRGP50B60PD1-EP 海关信息

IRGP50B60PD1-EP 概述

IRGP50B60PD1-EP 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.39 MByte

IRGP50B60PD1-EP 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRGP50B60PD1-EP 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IRGP50B60PD1-EP 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

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