IRLD024

器件3D模型

￥ 0

IRLD024 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP-4

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLD024 数据手册 (9 页)

IRLD024 数据手册 (9 页)

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IRLD024 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

2.50 A

封装

DIP-4

极性

N-Channel

功耗

1.30 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0V (min)

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

110 ns

输入电容值(Ciss)

870pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

41 ns

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IRLD024 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IRLD024 符合标准

IRLD024 数据手册

IRLD024 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 1.65 MByte

IRLD024 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.16 MByte

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