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IRLD024PBF
器件3D模型
1.886
IRLD024PBF 数据手册 (7 页)
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IRLD024PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.50 A
封装
DIP
极性
N-Channel
功耗
1.30 W
漏源击穿电压
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
上升时间
110 ns
下降时间
41 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1300 mW

IRLD024PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

IRLD024PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
7 页 / 0.17 MByte

IRLD024 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.10ohm ,ID = 2.5A ) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLD024PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 60 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
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