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IRLL014PBF
0.248
IRLL014PBF 数据手册 (8 页)
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IRLL014PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.70 A
封装
SOT-223
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.1 W
阈值电压
2 V
输入电容
400pF @25V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
2.70 A
上升时间
110 ns
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRLL014PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
6.7 mm
高度
1.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRLL014PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.15 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.16 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.21 MByte

IRLL014 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL014NTRPBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL014NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL014NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道 2A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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