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IRLR024PBF
0.292
IRLR024PBF 数据手册 (11 页)
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IRLR024PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
100 mΩ
极性
N-CH
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
14A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
870pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
41 ns

IRLR024PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRLR024PBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.75 MByte
VISHAY(威世)
12 页 / 0.21 MByte

IRLR024 数据手册

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VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR024NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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