IRLR3110ZPBF

￥ 0.938

IRLR3110ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLR3110ZPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页 10 页

IRLR3110ZPBF 数据手册 (11 页)

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IRLR3110ZPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

140 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.014 Ω

极性

N-Channel

功耗

140 W

阈值电压

2.5 V

输入电容

3980pF @25V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

63A

上升时间

110 ns

反向恢复时间

34 ns

正向电压(Max)

1.3 V

输入电容值(Ciss)

3980pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

140 W

下降时间

48 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140W (Tc)

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IRLR3110ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLR3110ZPBF 符合标准

IRLR3110ZPBF 概述

IRLR3110ZPBF 数据手册

IRLR3110ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.3 MByte

IRLR3110ZPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLR3110ZPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRLR3110ZPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLR3110ZPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLR3110ZPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IRLR3110 数据手册

IRLR3110ZTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLR3110ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V

IRLR3110ZTRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5V

IRLR3110ZTRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRLPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

IRLR3110ZPBF 数据手册

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场效应管(MOSFET) IRLR3110ZTRRPBF DPAK

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