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IRLR7833TR
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IRLR7833TR 数据手册 (12 页)
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IRLR7833TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
140 A
封装
TO-252
极性
N-Channel
功耗
140 W
零部件系列
IRLR7833
漏源极电压(Vds)
30.0 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
140 A
上升时间
6.90 ns

IRLR7833TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape

IRLR7833TR 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.18 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.18 MByte

IRLR7833 数据手册

Infineon(英飞凌)
N沟道 30V 140A
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 140A
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
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