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IXFH12N100Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100Q 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 5.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXFH12N100Q 数据手册 (4 页)

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IXFH12N100Q 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

300 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.05 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

5.5 V

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

2900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

IXFH12N100Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

重量

6.00 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH12N100Q 符合标准

IXFH12N100Q 数据手册

IXFH12N100Q 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.14 MByte

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