IXFK55N50

￥ 15.624

IXFK55N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFK55N50 数据手册 (4 页)

IXFK55N50 数据手册 (4 页)

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IXFK55N50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

55.0 A

封装

TO-264-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

90 mΩ

功耗

560 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

55.0 A

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

9400pF @25V(Vds)

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

625W (Tc)

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IXFK55N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFK55N50 符合标准

IXFK55N50 概述

IXFK55N50 数据手册

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IXYS Semiconductor

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