￥ 29.23

IXGN320N60A3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXGN 系列 600 Vce 320 A 63 ns t(on) 超低Vsat PT IGBT - SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXGN320N60A3 数据手册 (4 页)

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IXGN320N60A3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

额定功率

735 W

功耗

735000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

18nF @25V

额定功率(Max)

735 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

735000 mW

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IXGN320N60A3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGN320N60A3 符合标准

IXGN320N60A3 海关信息

IXGN320N60A3 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.82 MByte

IXGN320N60A3 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.15 MByte

IXGN320N60 数据手册

IXGN320N60A3 数据手册

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IXGN 系列 600 Vce 320 A 63 ns t(on) 超低Vsat PT IGBT - SOT-227B

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