IXTQ75N10P

￥ 0.54

IXTQ75N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ75N10P 数据手册 (1 页)

IXTQ75N10P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

21 mΩ

极性

N-CH

功耗

360 W

阈值电压

5.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

75A

上升时间

53 ns

输入电容值(Ciss)

2250pF @25V(Vds)

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

360W (Tc)

查看数据手册 >

IXTQ75N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

4.9 mm

高度

20.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXTQ75N10P 符合标准

IXTQ75N10P 数据手册

IXTQ75N10P 数据手册

IXYS Semiconductor

1 页 / 0.08 MByte

IXTQ75N10P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.24 MByte

IXTQ75N10 数据手册

IXTQ75N10P 数据手册

IXYS Semiconductor

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

CL10A105KB8NNNC 74HC123D MAX3232IPWR BLM18KG121TN1D LM324AD MC34063AP LSM303AGRTR EPM570T100I5N CRCW0402100KFKED

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z