IXTT30N60P

￥ 8.229

IXTT30N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-268-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTT30N60P 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页 6 页

IXTT30N60P 数据手册 (6 页)

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IXTT30N60P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-268-3

功耗

540W (Tc)

输入电容

5.05 nF

栅电荷

82.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

输入电容值(Ciss)

5050pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

540W (Tc)

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IXTT30N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTT30N60P 符合标准

IXTT30N60P 概述

IXTT30N60P 数据手册

IXTT30N60P 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.34 MByte

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