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器件3D模型
￥ 0.944
L6388ED 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
STMICROELECTRONICS L6388ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
L6388ED 数据手册 (18 页)
引脚图
在
5 页
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在
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L6388ED 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
0.4 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
9.60V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
70ns, 40ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
750 mW
上升时间
100 ns
输出电流(Max)
0.65 A
下降时间
80 ns
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
100 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-45 ℃
耗散功率(Max)
750 mW
电源电压
17 V
电源电压(Max)
17 V
电源电压(Min)
9.6 V
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L6388ED 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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L6388ED 符合标准
L6388ED 海关信息
L6388ED 概述
●
MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics
●
### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics
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L6388ED
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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L6388ED
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ST Microelectronics（意法半导体）
68 页 / 3.38 MByte
L6388ED
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L6388ED
开发手册
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L6388ED
产品修订记录
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS L6388ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
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