器件3D模型

￥ 1.991

L6395DTR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SO-8

描述:

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

L6395DTR 数据手册 (16 页)

引脚图在4 页Hot

封装尺寸在13 页 14 页

典型应用电路图在10 页

原理图在3 页

L6395DTR 数据手册 (16 页)

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L6395DTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

上升/下降时间

75ns, 35ns

输出接口数

2 Output

功耗

800 mW

下降时间(Max)

70 ns

上升时间(Max)

120 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

800 mW

电源电压

10V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

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L6395DTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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L6395DTR 符合标准

L6395DTR 海关信息

L6395DTR 概述

L6395DTR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.44 MByte

L6395DTR 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

L6395DTR 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

198 页 / 1.42 MByte

L6395 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

L6395D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS L6395D 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 125ns延迟, SOIC-8

L6395DTR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

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