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LET9045F
123.968
LET9045F 数据手册 (10 页)
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LET9045F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
960 MHz
引脚数
3 Pin
额定电流
9 A
封装
M-250
针脚数
3 Position
功耗
108 W
漏源极电压(Vds)
80 V
输出功率
59 W
增益
17.7 dB
测试电流
300 mA
输入电容值(Ciss)
58pF @28V(Vds)
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
108000 mW
额定电压
80 V

LET9045F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
9.91 mm
宽度
6.09 mm
高度
3.94 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

LET9045F 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.19 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.21 MByte

LET9045 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LET9045F  晶体管, 射频FET, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250
ST Microelectronics(意法半导体)
在塑料包装射频功率晶体管LDMOS增强技术 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
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