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MJB44H11G
0.943
MJB44H11G 数据手册 (2 页)
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MJB44H11G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
50 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
2 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

MJB44H11G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MJB44H11G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.1 MByte

MJB44H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管D2PAK的表面贴装 Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount
ST Microelectronics(意法半导体)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJB44H11G.  功率晶体管, NPN, 80V, D2-PAK
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJB44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 50 W, 10 A, 40 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 W, 10 A, 40 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
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