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MJD350T4
0.339
MJD350T4 数据手册 (5 页)
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MJD350T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-300 V
额定电流
-500 mA
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
15 W
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
最小电流放大倍数
30 @50mA, 10V
最大电流放大倍数
240
额定功率(Max)
15 W
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
15000 mW

MJD350T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJD350T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.49 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.14 MByte

MJD350 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压功率晶体管D- PAK表面贴装应用 High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount Applications
ON Semiconductor(安森美)
高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors
Diodes(美台)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD350T4G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD350T4  单晶体管 双极, PNP, 300 V, 15 W, -500 mA, 30 hFE
Diodes(美台)
晶体管-双极-BJT-单-PNP-300V-500mA-15W-表面贴装型-TO-252-2
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MJD350TF , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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