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MJD42C
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MJD42C 数据手册 (7 页)
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MJD42C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-6.00 A
封装
TO-252-3
极性
Dual P-Channel
功耗
1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
6A
最小电流放大倍数
15 @3A, 4V
最大电流放大倍数
75
额定功率(Max)
1.75 W

MJD42C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2500

MJD42C 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte

MJD42 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
通用扩增fi er General Purpose Amplifier
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD42CT4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 20 W, 6 A, 30 hFE
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MJD42C TO-252-2L(4R) 15-75
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD42C1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -100 V, 3 MHz, 20 W, -6 A, 15 hFE 新
ON Semiconductor(安森美)
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
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