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MKP386M510125JT4
8.001
MKP386M510125JT4 数据手册 (18 页)
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MKP386M510125JT4 技术参数、封装参数

类型
描述
额定电压(DC)
1250 V
额定电压(AC)
550 V
电容
1 µF
等效串联电阻(ESR)
10 mΩ
容差
±5 %
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
额定电压
1.25 kV

MKP386M510125JT4 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
18 页 / 0.24 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
18 页 / 0.24 MByte

MKP386M510125 数据手册

VISHAY(威世)
MKP386M 系列通过钳位电压和振铃电流降低 EMI 高脉冲强度(dv/dt 高达 2500 V/μs) 低电感结构(低 ESL) 低等效串联电阻 可直接安装在 IGBT 模块上 应用包括光伏和风能逆变器、电动机驱动器和频率转换器
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  MKP386M510125JT4  膜电容, MKP386M系列, 1 µF, ± 5%, PP(聚丙烯), 1.25 kV
Vishay BC Components(威世)
Vishay BC Components(威世)
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Vishay Semiconductor(威世)
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