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MMBT5401LT3G
0.003
MMBT5401LT3G 数据手册 (6 页)
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MMBT5401LT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-150 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
增益频宽积
300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
60 @10mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
50
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT5401LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT5401LT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

MMBT5401LT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管( PNP硅) High Voltage Transistor(PNP Silicon)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新
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