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MMBT5401WT1G
器件3D模型
0.044
MMBT5401WT1G 数据手册 (3 页)
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MMBT5401WT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SC-70-3
极性
PNP
功耗
0.4 W
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
60 @10mA, 5V
额定功率(Max)
400 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400 mW

MMBT5401WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT5401WT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.14 MByte

MMBT5401WT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
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