￥ 0.126

MMBTA13LT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBTA13LT1 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

MMBTA13LT1 数据手册 (6 页)

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MMBTA13LT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

300 mA

封装

SOT-23-3

极性

NPN

功耗

225 mW

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

集电极最大允许电流

0.3A

最小电流放大倍数

10000 @100mA, 5V

额定功率(Max)

225 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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MMBTA13LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBTA13LT1 符合标准

MMBTA13LT1 海关信息

MMBTA13LT1 概述

MMBTA13LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

MMBTA13LT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.21 MByte

MMBTA13LT1 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MMBTA13LT1 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.18 MByte

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA13 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE

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