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MMBTA13-TP
0.022
MMBTA13-TP 数据手册 (5 页)
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MMBTA13-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
300 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
0.225 W
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.3A
最小电流放大倍数
10000 @150mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
125MHz (Min)
耗散功率(Max)
225 mW

MMBTA13-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.12 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA13-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
5 页 / 0.2 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
5 页 / 0.28 MByte

MMBTA13 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA13  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
CJ(长电科技)
达林顿管 MMBTA13 K2D SOT-23 NPN,Vceo=30V,Ic=300mA
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
MMBTA13 NPN 500mA/0.5A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记A1X 开关 功率放大
UTC(友顺)
NPN外延硅晶体管
Infineon(英飞凌)
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistors
Micro Commercial Components(美微科)
Diodes(美台)
Rectron Semiconductor
Diotec Semiconductor
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