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MMBZ20VAL,215
0.243
MMBZ20VAL,215 数据手册 (17 页)
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MMBZ20VAL,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
电容
80 pF
封装
SOT-23-3
功耗
360 mW
钳位电压
28 V
测试电流
1 mA
脉冲峰值功率
40 W
最小反向击穿电压
19 V
击穿电压
19 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360 mW

MMBZ20VAL,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TA)

MMBZ20VAL,215 数据手册

NXP(恩智浦)
17 页 / 0.47 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte

MMBZ20 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏
Nexperia(安世)
ESD 保护二极管 NXP MMBZ20VAL,215 单向, 40W, 28V, 3针 SOT-23封装
Diodes(美台)
MMBZ20VAL 系列 40 W 20 V 表面贴装 单向 TVS 二极管 - SOT-23
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 28 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 350 mW, MMBZ2 Series
NXP(恩智浦)
MMBZ10VAL 系列 17 V 65 pF 单向 双通道 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Diodes(美台)
ESD 抑制器/TVS 二极管 20V 225mW
NXP(恩智浦)
ON Semiconductor(安森美)
MMBZ27VAW: 齐纳保护,40 瓦峰值功率
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