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NSV60601MZ4T3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-261-4

描述:

60 V ， 6.0 A，低VCE （ sat）的NPN晶体管 60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NSV60601MZ4T3G 数据手册 (10 页)

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NSV60601MZ4T3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

无卤素状态

Halogen Free

极性

NPN

功耗

2 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

120 @1A, 2V

额定功率(Max)

800 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

NSV60601MZ4T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NSV60601MZ4T3G 符合标准

NSV60601MZ4T3G 概述

NSV60601MZ4T3G 数据手册

NSV60601MZ4T3G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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NSV60601MZ4T3G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

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ON Semiconductor（安森美）

60 V ， 6.0 A，低VCE （ sat）的NPN晶体管 60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

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