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NTA7002NT1G
器件3D模型
0.021
NTA7002NT1G 数据手册 (5 页)
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NTA7002NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
154 mA
封装
SC-75-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
7 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 mW
阈值电压
1 V
输入电容
11.5 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
栅源击穿电压
±10.0 V
连续漏极电流(Ids)
154 mA
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
20pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

NTA7002NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.65 mm
宽度
0.9 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTA7002NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

NTA7002NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 30伏154毫安,单N通道,门ESD保护, SC- 75 Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC−75
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTA7002NT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 154 mA, 30 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V 新
Leshan Radio(乐山无线电)
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