Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > NTD20N06LG Datasheet 文档
NTD20N06LG
0.01
NTD20N06LG 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NTD20N06LG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-252-3
额定功率
60 W
漏源极电阻
39.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
60 W
输入电容
1.01 nF
栅电荷
30.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
98 ns
输入电容值(Ciss)
990pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.36 W
下降时间
62 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.36 W

NTD20N06LG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD20N06LG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.11 MByte

NTD20N06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06LT4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06G  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 20安培, 60伏逻辑电平, NA ????频道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK
ON Semiconductor(安森美)
60V,20A,N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 20安培, 60伏特,逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level
ON Semiconductor(安森美)
20A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z