器件3D模型

￥ 0.333

NTLJD3119CTBG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTLJD3119CTBG 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.6 A, 20 V, 37 mohm, 4.5 V, 700 mV

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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NTLJD3119CTBG 数据手册 (10 页)

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NTLJD3119CTBG 数据手册 (10 页)

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NTLJD3119CTBG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WDFN-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.037 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2.3 W

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

3.80 A, 4.60 A

输入电容值(Ciss)

271pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

710 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.3 W

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NTLJD3119CTBG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTLJD3119CTBG 符合标准

NTLJD3119CTBG 海关信息

NTLJD3119CTBG 概述