器件3D模型

￥ 0.564

NTMD6P02R2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

P 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

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3D模型

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焊盘图

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NTMD6P02R2G 数据手册 (6 页)

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NTMD6P02R2G 数据手册 (6 页)

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NTMD6P02R2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-6.00 A

封装

SOIC-8

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

27.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.80 A

上升时间

20.0 ns

输入电容值(Ciss)

1700pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

750 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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NTMD6P02R2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTMD6P02R2G 符合标准

NTMD6P02R2G 海关信息

NTMD6P02R2G 概述

NTMD6P02R2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.07 MByte

NTMD6P02R2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.2 MByte

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功率MOSFET 6安培， 20伏P沟道SO- 8 ，双 Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P-Channel SO-8, Dual

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