●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.135Ω @-700mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--1.253 耗散功率PdPower Dissipation| 400mW/0.4W Description & Applications| Features • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
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ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23
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ON SEMICONDUCTOR NTR1P02T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V
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P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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-12A,-60V逻辑电平的功率MOSFET
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功率MOSFET Power MOSFET
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