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NTZD3154NT1G
0.08
NTZD3154NT1G 数据手册 (2 页)
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NTZD3154NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
540 mA
封装
SOT-563-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.4 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
250 mW
阈值电压
1 V
输入电容
80 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
540 mA
上升时间
4 ns
输入电容值(Ciss)
150pF @16V(Vds)
额定功率(Max)
250 mW
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
280 mW

NTZD3154NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.7 mm
宽度
1.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTZD3154NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
39 页 / 2.8 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.29 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

NTZD3154NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTZD3154NT1G.  场效应管, MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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